报告人：宋华平（日本大学理工学院，博士后研究员）

时间：2017年7月25日15：00-16：00

地点：新楼二楼阳光房

摘要：透明导电氧化物（TCO）薄膜材料具有较高的载流子浓度和光学禁带宽度，从而表现出低的电阻率和高的可见光透过率。纤锌矿结构的氧化锌（ZnO）是第三代宽禁带半导体材料中的重要代表，其光电性质可以通过掺杂（Al，Ga，Ti等）和生长工艺来调节，被广泛用作TCO薄膜和光电转化材料。相比于Sn掺杂的In2O3（ITO）薄膜，ZnO基TCO薄膜的最大问题是耐湿热性能不佳，其电阻率在湿热环境下变化率很大。本研究报告致力于解决ZnO基TCO薄膜的耐湿热稳定性问题，并结合光电子能谱仪（XPS）、二次离子质谱仪（SIMS）等分析手段，研究反应离子沉积法（RPD：reactive plasma deposition）生长的ZnO薄膜的性质，以指导生长工艺和设备的改良工作。

个人简介：宋华平，日本大学理工学院，博士后研究员。2001-2005年就读于华中科技大学电子科学与技术系，2005-2010年在中科院半导体所材料重点实验室取得硕博连读学位后，先后在日本物质材料机构（NIMS），日本高知工科大学以及日本大学理工学院（目前）从事博士后研究工作。主要研究领域包括第三代宽禁带半导体氮化物及氧化物材料、器件的生长制备及相关设备研发、X射线分析方法研究（X射线光电子能谱仪、X射线吸收谱以及X射线衍射等）以及真空/高真空系统的设计。

欢迎感兴趣的老师和同学参加。